logo blog
Blog Sandi Elektronik
Silahkan pastikan untuk melengkapi kunjungan anda dengan melihat : Daftar Isi.
Terima kasih atas kunjungannya dan semoga bermanfaat

Transistor FET

Advertisement

PENGENALAN KOMPONEN / PARTS ELEKTRONIK

Transistor Efek Medan Atau FET

Transistor FET (Field Effect Transistor), dalam hal ini JFET (Junction Field Effect Transistor) adalah transistor yang bekerja dengan memanfaatkan efek kejadian dalam medan listrik.
Transistor FET mempunyai tiga elektroda, yaitu : Gate (G) atau pintu, Drain (D) atau cerat, dan Source (S) atau sumber. Ada dua jenis FET, yaitu type-N (kanal N) dan type-P (kanal P).
Jika pada transistor bi-polar (Junction Transistor) jalan masukannya yaitu basis diberi tegangan muka maju terhadap emitor, maka pada JFET jalan masukannya (gate) diberi tegangan muka terbalik terhadap source.

FET structure 1

Medan listrik yang terjangkit di sekitar jalur-jalur silikon (jalur P atau jalur N) adalah karena pemberian tegangan muka terbalik di antara G dan S (VGS). Medan listrik akan semakin besar apabila tegangan terbalik di antara G – S (VGS) semakin besar, namun ini justeru berefek semakin mengecilnya arus yang mengalir pada D atau S (IDS).
Apabila VGS dikecilkan, maka IDS akan bertambah besar. Jadi, perubahan-perubahan tegangan terbalik yang terjadi di antara G – S akan mempengaruhi perubahan-perubahan arus IDS. Dengan cara sedemikianlah transistor FET dimanfaatkan, baik sebagai penguat ataupun yang lainnya.

Pada transistor FET kanal N, drain (D) seakan kolektor pada transistor bi-polar NPN, ia diberi tegangan positif. Sedangkan source (S) seakan emitor pada transistor bi-polar NPN, ia diberi tegangan negatif.
Gate (G) seolah basis pada transistor bi-polar NPN, namun bedanya adalah bahwa G akan terkondisi selalu lebih negatif terhadap S, inilah yang dimaksud tegangan muka terbalik.
Sebagai contoh jika S bertegangan 0 Volt terhadap ground, maka G (misalnya) bertegangan -2V terhadap S. Dan di lain ketika (misalnya) G bertegangan -1,6V terhadap S.

Pada transistor FET kanal P, D diberi tegangan negatif, sedangkan S diberi tegangan positif. Berarti, tegangan terbalik bagi G adalah apabila ia lebih positif terhadap S.
Contoh : Jika S bertegangan 2V terhadap ground (jalur nol Volt), maka G bertegangan 4V.
Besarnya tegangan G - S tidaklah tetap seperti tegangan b - e pada transistor bipolar (yaitu sekitar 0,6V). Namun tegangan G - S mempunyai besaran maksimum yang telah ditetapkan bagi setiap FET.
Keistimewaan dari transistor FET ini dibandingkan dengan transistor bi-polar adalah bahwa penyetelah tegangan muka pada G tidak memerlukan arus (karena pemberian tegangan muka terbalik), karenanya tidak ada perhitungan arus G, yang ada hanyalah besaran tegangan terbalik pada G. Di dalam penyetelan tegangan muka pada transistor bi-polar, arus basis (Ib) masih didefinisikan dalam perhitungan.

Ketika FET bekerja di dalam sebuah rangkaian, ada kalanya (sebenarnya) tetap terjadi arus antara G dan S, namun karena sangat kecilnya (yaitu hanya dalam kisaran nanoAmpere) maka praktis dikatakan tidak ada arus pada G. Adalah suatu kesalahan jika di antara G dan S hingga mengalir arus, yang (meskipun) hanya pada bilangan miliAmpere, namun ini sudah akan membuat FET menjadi rusak.

Keistimewaan yang lainnya adalah bahwa FET secara umum lebih sempurna dalam pekerjaan “switching“ di mana hantaran drain (D) dan source (S) nyaris nol Ohm. Ini juga berarti porsi tegangan yang diambil oleh FET dari tegangan supply ketika melakukan switching praktis nol Volt. Dengan sifat ini FET menjadi akrab diterapkan dalam rangkaian-rangkaian bertegangan supply rendah seperti pada sirkit-sirkit komputer, hand-phone dan lain-lainnya. Namun dalam rangkaian-rangkaian bertegangan supply tinggi FET (terutama MOSFET) juga banyak diterapkan karena sifat ini.

Jenis-jenis transistor FET
Dalam perkembangannya, transistor FET semakin bervariasi. Turunan-turunannya dibuat untuk berbagai macam fungsi yang lebih luas dalam aplikasi rangkaian-rangkaian elektronik. Di antaranya adalah :

MESFET (Metal Semiconductor Field Effect Transistor), yaitu FET dengan kontak metal-semiconductor sebagai kemudi (Gate)

IGFET (Insulated Gate Field Effect Transistor), yaitu FET dengan elektroda kemudi yang terisolasi. IGFET meliputi :

TFET (Thin Film Field Effect Transistor), FET dengan selaput tipis dan MOSFET (Metal-Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor).

MOSFET (Metal-Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor), yaitu FET dengan permukaan dari oksida-logam. MOSFET ini terbagi ke dalam dua type :

DMOSFET (Depletion MOSFET), yaitu type MOSFET yang “dimiskinkan” dan

EMOSFET (Enhancement MOSFET), yaitu type MOSFET yang “digalakkan”.

Dalam bentuk diagram, pembagian jenis-jenis FET secara turunan bisa digambarkan sebagai berikut :

FET diagram 1

Istilah MOSFET lebih banyak populer. DMOSFET ataupun EMOSFET tetap saja disebutkan orang sebagai MOSFET. Sedangkan istilah IGFET justeru lebih asing, padahal semua jenis MOSFET dan juga TFET adalah bagian dari IGFET, yaitu transistor FET dengan elektroda kemudi (Gate) yang terisolasi.

Nama-nama dan nomor transistor FET
Ada beberapa model penamaan atau penomoran transistor FET.

Pertama, penamaan atau penomoran FET Jepang, di mana biasanya dimulai dengan angka 2 lalu diikuti dengan dua huruf, kemudian ada tiga atau empat angka lanjutan.
Contoh : 2SK192, 2SJ135
Angka 2 berarti : transistor
Huruf S berarti “semiconductor” (bukan tabung vakum)
Huruf K berarti transistor FET type N, atau
Huruf J berarti transistor FET type P
Angka-angka selanjutnya adalah nomor seri FET.

Yang kedua adalah penamaan atau penomoran FET Amerika, di mana biasanya dimulai dengan angka 2 lalu diikuti dengan huruf N, kemudian ada beberapa deretan angka.
Contoh : 2N3819, 2N5459
Angka 2 berarti transistor (bukan dioda dan bukan thyristor)
Huruf N berarti “No-heating” (tanpa elemen pemanas, yang berarti bukan bagian dari tabung vakum)

Angka-angka selanjutnya adalah nomor seri.

Yang ketiga adalah penamaan atau penomoran FET Eropa, di mana biasanya dimulai dengan dua huruf kemudian diikuti dengan beberapa angka.
Contoh : BF245, BF256
Huruf B berarti transistor silikon
Huruf F berarti transistor frekwensi tinggi
Angka-angka selanjutnya adalah nomor seri.

Berbeda dengan penamaan dan penomoran Jepang, pada FET Amerika dan Eropa tidak bisa langsung diketahui bahwa itu adalah transistor FET. Diketahuinya bahwa itu adalah transistor FET melalui buku data transistor atau datasheet yang bersangkutan.
Selain penamaan dan penomoran yang telah disebutkan di atas, ada juga penamaan dan penomoran FET yang lain, seperti E300, U1994, MPF105, IRF44, IXKR40N60, dan lain lain.

Besaran-besaran/parameter dalam karakteristik FET
Setiap transistor FET mempunyai karakteristik tersendiri dan dibuat untuk fungsi dengan ketentuan-ketentuan tertentu oleh pabrik pembuatnya. Di antaranya adalah :

PT (Power total), adalah besar daya maksimum yang dipekerjakan kepada FET. Daya yang dipekerjakan kepada FET harus berada di bawah angka ini.

VDS (Tegangan Drain-Source), adalah besar tegangan maksimum antara Drain dan Source.

VDG (Tegangan Drain-Gate), yaitu besar tegangan maksimum antara Drain dan Gate

VGS (Tegangan Gate-Source), yaitu batasan jangkah tegangan di antara Gate dan Source. Biasanya dinyatakan dalam batasan – dan +.

ID (Arus Drain), adalah arus maksimal yang mengalir pada Drain.

Besaran-besaran ini bisa dilihat di dalam buku data transistor atau di dalam lembaran data (datasheet) transistor yang bersangkutan.

Susunan kaki-kaki/pin elektroda transistor FET
Berikut ini adalah beberapa susunan kaki-kaki/pin elektroda transistor FET :

FET electrode

Gambar (A) untuk type 2N3819, 2N3820, BF244, BF256, TIS88A, dll.
Gambar (B) untuk type 2N5457, 2N5458, MPF103, MPF104, dll.
Gambar (C) untuk type 2N5450, 2N5455, 2N5460, 2SK152, dll.
Gambar (D) untuk type BF245, BF246, dll.
Gambar (E) untuk type BS250
Gambar (F) untuk type 2N5459, MPF105
Gambar (G) untuk type 80111
Gambar (H) untuk type 2N3823, 2N4416, BFW10, BFW11
Gambar (I) untuk type E300, E310, U1994
Gambar (J) untuk type BF982
Gambar (K) untuk type E420
Gambar (L) untuk type Buz10, Buz11, IRFZ44, IRF630, IRF640, 2SK2645, 2SK1904, 5N60, atau yang berbentuk sedemikian
Gambar (M) untuk type 2SK2698, IXKR40N60C, IXTH20N60, atau yang berbentuk sedemikian
Gambar (N) untuk type IXTM20N60, 2SJ50, 2SK135 atau yang berbentuk sedemikian.


Tulisan lain tentang transistor :
Transistor Bipolar
Transistor Komplementer .

Enter your email address to get update from Sandi Sb.
Print PDF
Next
« Prev Post
Previous
Next Post »

Silakan komentar sesuai topik dan sertakan ID yang jelas dengan tidak menyertakan live-link atau spam.

Copyright © 2013. Sandi Elektronik - All Rights Reserved | Template Created by Kompi Ajaib Proudly powered by Blogger